Электричество и магнетизм

Закон Ома для цепей переменного тока

Установка предназначена для проверки закона Ома в цепях переменного тока с семью различными нагрузками. На графическом дисплее выводятся графики зависимости мгновенных значений силы тока и напряжения в пределах одного периода. Амплитудное значение напряжения можно изменять дискретно с шагом 0,5 В в пределах от 0 до 5 В.

Непосредственно измеряемыми величинами являются действующие и мгновенные значения напряжения и тока, а также фазовый сдвиг между током и напряжением с относительной погрешностью < 1 %.

Мощность и сдвиг фаз в цепях переменного тока

Установка предназначена для изучения преобразования электрической энергии в цепях переменного тока с семью различными нагрузками. На графическом дисплее выводятся графики зависимости мгновенных значений силы тока и напряжения в пределах одного периода. Амплитудное значение напряжения можно изменять дискретно с шагом 0,5 В в пределах от 0 до 5 В.
Непосредственно измеряемыми величинами являются действующие и мгновенные значения напряжения и тока, а также фазовый сдвиг между током и напряжением с относительной погрешностью < 1 %.

Зависимость сопротивления металлов
и полупроводников от температуры

Установка предназначена для проверки закона изменения сопротивления двух металлов (медь, платина) и двух легированных полупроводников (германий, кремний) от температуры. Интервал изменения температуры 20-100 °С. На графическом дисплее одновременно строятся четыре графика зависимости сопротивления от температуры. Относительная погрешность измерения температуры и сопротивления < 1 %.

Изучение магнитного гистерезиса

Установка предназначена для исследования магнитных свойств трех различных материалов (мягкого железа, железа и ферримагнетика). На графическом дисплее строятся соответствующие петли гистерезиса, по которым устанавливается зависимость магнитной проницаемости исследуемых образцов от величины магнитной индукции.

Электрический резонанс

Установка предназначена для изучения резонанса в последовательном и параллельном колебательных контурах с различными значениями параметров R, L и C (по 5 для каждого). На графическом дисплее строятся резонансные кривые, которые можно изучать также как и в предыдущих работах. Диапазон изменения частоты 0 - 645 Гц с дискретностью 10 Гц.

Изучение релаксационных процессов

Установка предназначена для изучения затухающих колебаний в колебательном контуре, процесса зарядки и разрядки конденсатора и работы релаксационного генератора.

Определение индукции магнитного поля соленоида

Установка предназначена для исследования распределения магнитного поля соленоида на его оси и изучения эффекта Холла. Полученная экспериментальная зависимость сравнивается с теоретической, вычисленной по геометрическим размерам соленоида.

Контактная разность потенциалов p-n перехода диода

Изучение свойств четырёхполюсников

Установка предназначена для изучения свойств четырех типов фильтров фильтров низких и высоких частот и полосопропускающего и полосозаграждающего фильтров, а также резонансного усилителя. На графическом дисплее строятся амплитудо-частотные и фазо-частотные характеристики.

Актив БГУ предлагает свои услуги по разработке и изготовлению учебного оборудования не входящего в представленный перечень.